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IPD320N20N3G Ic 통합 회로 TO-252

IPD320N20N3G Ic 통합 회로 TO-252

IPD320N20N3G Ic 통합 회로

TO-252 Ic 집적 회로

IPD320N20N3G 통합 회로 IC 칩

원래 장소:

원형

브랜드 이름:

INFINEON

모델 번호:

IPD320N20N3G

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제품 상세정보
품질 ::
사용하지 않은 브랜드 뉴
패키지 / 박스 ::
TO-252
지불과 운송 용어
최소 주문 수량
1PCS
가격
Negotiate
포장 세부 사항
4000
배달 시간
3
주식
8000+
지불 조건
인수 인도, L/C (신용장), 인수 인도, D/P (지급도 조건), 전신환, 웨스턴 유니온, 머니그램
공급 능력
97830 PC
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IPD320N20N3G Ic 통합 회로 TO-252

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제품 설명

ISO9001.pdf

애플리케이션: IPD320N20N3G는 고효율 DC-DC 변환기 및 인버터 애플리케이션에 사용되는 N 채널 MOSFET 트랜지스터입니다.낮은 전도 저항과 높은 전환 속도.
결론: IPD320N20N3G는 높은 효율성, 높은 전압 및 낮은 전도 저항의 특징을 가지고 있으며, 고전력 DC-DC 변환기와 인버터에 적합합니다.시스템의 에너지 효율을 향상시킬 수 있습니다., 전력 손실을 줄이고 더 긴 수명을 가지고 있습니다.
매개 변수
Vds (max) = 200V (최대 저항 전압)
id=320A (최대 배수 전류)
Rds (on) = 3.3m Ω (전도 저항)
Qg=230nC (게이트 전하)
Vgs (th) = 4V (게이트 임계 전압)
Ciss=12300pF (입수 용량)
Coss=1170pF (출력 용량)
Crss=570pF (반면 전송 용량)

제품 기술 사양
EU RoHS 면제청구에 부합합니다
ECCN (미국) EAR99
부분 상태 확인되지 않았습니다.
SVHC
SVHC가 한계를 초과
자동차 아니
PPAP 아니
제품 분류 전력 MOSFET
구성 싱글
공정 기술 오프티모스 3
채널 모드 강화
채널 유형 N
칩당 요소 수 1
최대 배수 소스 전압 (V) 200
최대 포트 소스 전압 (V) ₹20
최저 포트 문장 전압 (V) 4
작동점 온도 ( capturC) -55~175
최대 연속 배수 전류 (A) 34
최대 포트 소스 누출 전류 (nA) 100
최대 IDSS (uA) 1
최대 배수원 저항 (MOhm) 32@10V
전형적인 게이트 충전 @ Vgs (nC) 22@10V
일반적인 게이트 충전 @ 10V (nC) 22
전형적인 게이트에서 배수 요금 (nC) 3
전형적인 출처로 연결된 전하 (nC) 8
전형적인 역 회수 요금 (nC) 500
전형적인 스위치 충전 (nC) 5
일반적인 입력 용량 @ Vds (pF) 1770@100V
전형적인 역전환 용량 @ Vds (pF) 4@100V
최저 포트 임계 전압 (V) 2
전형적인 출력 용량 (pF) 135
최대 전력 분산 (mW) 136000
전형적인 추락 시간 (ns) 4
전형적인 상승 시간 (ns) 9
정전 지연 시간 (ns) 21
일반적인 켜기 지연 시간 (ns) 11
최소 작동 온도 ( capturC) -55
최대 작동 온도 ( capturC) 175
포장 테이프 와 릴
최대 펄스드레인 전류 @ TC=25 capturC (A) 136
PCB의 최대 교차 환경 열 저항 ( capturC/W) 50
전형적인 다이오드 전압 (V) 0.9
전형적인 게이트 플라토 전압 (V) 4.4
전형적인 역회복 시간 (ns) 110
최대 다이오드 전압 (V) 1.2
전형적인 게이트 임계 전압 (V) 3
최대 양성 게이트 소스 전압 (V) 20
장착 표면 마운트
패키지 높이 2.41 (최대)
패키지 너비 6.22 (최대)
패키지의 길이가 6.73 (최대)
PCB 변경 2
표준 패키지 이름 TO-252
공급자 패키지 DPAK
핀 수 3
납 모양 갈매기 날개

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