Name: IPD053N06NATMA1 TO-252 집적 회로 칩 IC 브랜드 뉴 원형 사용하지 않습니다
Brand: HK LIANYIXIN INDUSTRIAL CO., LIMITED
SKU: IPD053N06NATMA1
Availability: InStock

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IPD053N06NATMA1 TO-252 집적 회로 칩 IC 브랜드 뉴 원형 사용하지 않습니다

원래 장소:

원형

브랜드 이름:

INFINEON

모델 번호:

IPD053N06NATMA1

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IPD053N06NATMA1 TO-252 집적 회로 칩 IC 브랜드 뉴 원형 사용하지 않습니다

제품 상세정보

품질 ::

사용하지 않은 브랜드 뉴

패키지 / 박스 ::

TO-252

지불과 운송 용어

최소 주문 수량

1PCS

가격

Negotiate

포장 세부 사항

4000

배달 시간

주식

8000+

지불 조건

인수 인도, L/C (신용장), 인수 인도, D/P (지급도 조건), 전신환, 웨스턴 유니온, 머니그램

공급 능력

97830 PC

BSP613PH6327 SOT223 통합 회로 IC 칩

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kezhiwei@lianyixinic.com

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제품 설명

ISO9001.pdf

애플리케이션 : IPD053N06NATMA1은 엔-채널 MOSFET이 주로 효율이 높은 직류-직류 변환기, 전원관리, LED 운전자와 다른 회로에 사용했다는 것 입니다.
결론 : IPD053N06NATMA1은 우수한 전도특성, 저누설 전류, 고온 안정도와 신뢰성을 가지며, 그것이 시스템의 효율과 신뢰성을 향상시킬 수 있습니다.
매개 변수 :
정격 전압 : 60V
정격 전류 : 53A
정특성 :
누설 전류 : 25uA
배관 저항 : 4.5mOhm
동특성 :
입력 커패시턴스 : 3200pF
출력 커패시턴스 : 810pF
온도 특성 :
작동 온도 범위 : -55 Ｃ to+175 Ｃ
열 저항 : 0.5 C/W
패키징하는 것 : IPD053N06NATMA1은 6.5 밀리미터 Ｘ 9.5 밀리미터 Ｘ 2.5 밀리미터의 사이즈로, TO-252 (DPAK) 패키징을 채택합니다.

제품 기술적 요구

EU 로에스	Exemption聽로 순응합니다
ECCN (우리)	EAR99
상태 부분	활동가
HTS	8541.29.00.95
SVHC	예
SVHC는 한계를 초과합니다	예
자동차	부정
PPAP	부정
상품 카테고리	파워 모스펫
구성	단일
프로세스 기술	옵티모스
채널 모드	향상
채널형	엔
칩 당 요소 수	1
최대 드레인 소스 전압 (V)	60
최대 게이트 소스 전압 (V)	20
최대 게이트 문턱 전압 (V)	2.8(Typ)
최대 연속적인 드레인전류 (A)	45
최대 게이트 소스 누설 전류 (nA)	100
최대 IDS (uA)	1
최대 드레인 소스 저항 (mOhm)	5.3@10V
브그스 (nC)에 있는 전형적 게이트전하	27@10V
10V (nC)에 있는 전형적 게이트전하	27
Vds (pF)에 있는 전형적 입력 커패시턴스	2000@30V
최대 파워 분해 (mW)	3000
전형적 강하 시간 (나노 초)	7
전형적 상승 시간 (나노 초)	12
전형적 정지 지연 시간 (나노 초)	20
전형적 켜짐 지연 시간 (나노 초)	12
최소 동작 온도 (C)	-55
최대 작업 온도 (C)	175
패키징	테이프와 릴
장착	표면 부착
패키지 높이	2.3
패키지 폭	6.22
패키지 길이	6.5
PCB는 변했습니다	2
탭	탭
표준 패키지 이름	TO-252
공급자 패키지	DPAK
핀 수	3

태그：

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