Name: IPD50N06S4-09 TO-252 집적 회로 칩 IC 브랜드 뉴 원형 사용하지 않습니다
Brand: HK LIANYIXIN INDUSTRIAL CO., LIMITED
SKU: IPD50N06S4-09
Availability: InStock

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IPD50N06S4-09 TO-252 집적 회로 칩 IC 브랜드 뉴 원형 사용하지 않습니다

원래 장소:

원형

브랜드 이름:

INFINEON

모델 번호:

IPD50N06S4-09

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IPD50N06S4-09 TO-252 집적 회로 칩 IC 브랜드 뉴 원형 사용하지 않습니다

제품 상세정보

품질 ::

사용하지 않은 브랜드 뉴

패키지 / 박스 ::

TO-252

지불과 운송 용어

최소 주문 수량

1PCS

가격

Negotiate

포장 세부 사항

4000

배달 시간

주식

8000+

지불 조건

인수 인도, L/C (신용장), 인수 인도, D/P (지급도 조건), 전신환, 웨스턴 유니온, 머니그램

공급 능력

97830 PC

BSP613PH6327 SOT223 통합 회로 IC 칩

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kezhiwei@lianyixinic.com

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제품 설명

ISO9001.pdf

애플리케이션 : IPD50N06S4-09는 직류-직류 변환기, 모터 구동장치, 기타 등등과 같은 고속 교환 응용에 적합한 엔-채널 MOSFET입니다.
결론 : IPD50N06S4-09는 저전도 저항과 고속 스위칭 속도와 높은 전류 전달 용량의 특성을 가지며, 그것이 시스템 효율과 신뢰성을 향상시킬 수 있습니다.
매개 변수 :
최대 드레인 소스 전압 : 60V
최대 드레인 경향 : 50A
최대 전력 소모 : 143W
도통 저항 : 9.5m Ω
교대 시간 : 13 나노 초
충전 시간 : 60 나노 초
방전시정수 : 41 나노 초
게이트 드라이브 전압 : ± 20V
작동 온도 범위 : -55 C~175 Ｃ
패키징하는 것 : IPD50N06S4-09는 표면 부착에 적합한 6.5 밀리미터 Ｘ 9.5 밀리미터 Ｘ 2.3 밀리미터의 차원으로, 또한 DPAK으로 알려진 TO-252-3으로 패키지됩니다.

제품 기술적 요구

EU 로에스	Exemption聽로 순응합니다
ECCN (우리)	EAR99
상태 부분	활동가
HTS	8541.29.00.95
SVHC	예
SVHC는 한계를 초과합니다	예
자동차	예
PPAP	미지의 것
상품 카테고리	파워 모스펫
구성	단일
프로세스 기술	옵티모스
채널 모드	향상
채널형	엔
칩 당 요소 수	1
최대 드레인 소스 전압 (V)	60
최대 게이트 소스 전압 (V)	20
최대 게이트 문턱 전압 (V)	4
최대 연속적인 드레인전류 (A)	50
최대 게이트 소스 누설 전류 (nA)	100
최대 IDS (uA)	1
최대 드레인 소스 저항 (mOhm)	9@10V
브그스 (nC)에 있는 전형적 게이트전하	36@10V
10V (nC)에 있는 전형적 게이트전하	36
Vds (pF)에 있는 전형적 입력 커패시턴스	2911@25V
최대 파워 분해 (mW)	71000
전형적 강하 시간 (나노 초)	5
전형적 상승 시간 (나노 초)	40
전형적 정지 지연 시간 (나노 초)	20
전형적 켜짐 지연 시간 (나노 초)	15
최소 동작 온도 (C)	-55
최대 작업 온도 (C)	175
공급자 온도 그레이드	자동차
패키징	테이프와 릴
TC=25C (A)에 있는 최대 펄스용 드레인전류	200
장착	표면 부착
패키지 높이	2.41(Max)
패키지 폭	6.22(Max)
패키지 길이	6.73(Max)
PCB는 변했습니다	2
탭	탭
표준 패키지 이름	TO-252
공급자 패키지	DPAK
핀 수	3
리드선 형태	걸-윙

태그：

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