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IPD50N04S4L-08 TO-252 집적 회로 칩 IC 브랜드 뉴 원형 사용하지 않습니다

IPD50N04S4L-08 TO-252 집적 회로 칩 IC 브랜드 뉴 원형 사용하지 않습니다

원래 장소:

원형

브랜드 이름:

INFINEON

모델 번호:

IPD50N04S4L-08

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제품 상세정보
품질 ::
사용하지 않은 브랜드 뉴
패키지 / 박스 ::
TO-252
지불과 운송 용어
최소 주문 수량
1PCS
가격
Negotiate
포장 세부 사항
4000
배달 시간
3
주식
8000+
지불 조건
인수 인도, L/C (신용장), 인수 인도, D/P (지급도 조건), 전신환, 웨스턴 유니온, 머니그램
공급 능력
97830 PC
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제품 설명

ISO9001.pdf

애플리케이션 :
IPD50N04S4L-08은 엔-채널 MOSFET 파워 트랜지스터가 일반적으로 전동 공구와 전기 자동차와 전원 공급기와 같은 고전력 스위치 회로에 사용했다는 것 입니다.
결론 :
IPD50N04S4L-08은 저전도 저항과 높은 교환 속도와 저누설 전류라는 유리한 입장에 있으며, 그것이 전력스위칭의 고효율과 신뢰성을 달성할 수 있습니다.
매개 변수 :
최대소비전력 : 50W
최대 드레인 전압 : 40V
최대 드레인 경향 : 50A
도통 저항 : 8m Ω
입력 커패시턴스 : 2235pF
출력 커패시턴스 : 345pF
패키징하는 것 :
IPD50N04S4L-08은 소용적과 좋은 방열 성능을 가지고 있는 또한 DPAK 패키징으로 알려진 TO-252 패키징을 채택합니다.

제품 기술적 요구
EU 로에스 Exemption聽로 순응합니다
ECCN (우리) EAR99
상태 부분 확인되지 않습니다
SVHC
SVHC는 한계를 초과합니다
자동차
PPAP 미지의 것
상품 카테고리 파워 모스펫
구성 단일
프로세스 기술 옵티모스
채널 모드 향상
채널형
칩 당 요소 수 1
최대 드레인 소스 전압 (V) 40
최대 게이트 소스 전압 (V) 20
최대 연속적인 드레인전류 (A) 50
최대 드레인 소스 저항 (mOhm) 7.3@10V
브그스 (nC)에 있는 전형적 게이트전하 23@10V
10V (nC)에 있는 전형적 게이트전하 23
Vds (pF)에 있는 전형적 입력 커패시턴스 1800@25V
최대 파워 분해 (mW) 46000
전형적 강하 시간 (나노 초) 18
전형적 상승 시간 (나노 초) 8
전형적 정지 지연 시간 (나노 초) 11
전형적 켜짐 지연 시간 (나노 초) 4
최소 동작 온도 (C) -55
최대 작업 온도 (C) 175
공급자 온도 그레이드 자동차
패키징 테이프와 릴
장착 표면 부착
패키지 높이 2.15
패키지 폭 6.22
패키지 길이 6.5
PCB는 변했습니다 2
표준 패키지 이름 TO-252
공급자 패키지 DPAK
핀 수 3
리드선 형태 걸-윙

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