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새롭고 원래인 LMV358IDR SOIC-8 Ic 집적 회로

새롭고 원래인 LMV358IDR SOIC-8 Ic 집적 회로

LMV358IDR Ic 집적 회로

LMV358IDR IC 칩

LMV358IDR 집적 회로 칩

원래 장소:

원형

브랜드 이름:

TI

모델 번호:

LMV358IDR

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제품 상세정보
품질 ::
사용하지 않은 브랜드 뉴
패키지 / 박스 ::
SOIC-8
지불과 운송 용어
최소 주문 수량
1PCS
가격
Negotiate
포장 세부 사항
2500
배달 시간
3
주식
8000+
공급 능력
12450 PC
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제품 설명

ISO9001.pdf

LMV358IDR는 텍사스 인스트루먼츠 사의 집적 회로 (IC)가 제조한 듀얼-채널, 저전압 작동중인 증폭기 (오 피-앰프) 입니다. 그것은 레일 투 레일 입력과 출력 스윙에게 저입력 오프셋 전압을 제공하면서, 단전원과 함께 작동하도록 설계됩니다.

애플리케이션 :

가청 주파 증폭기와 전치증폭기.
센서 증폭기.
신호 조건 부여 회로.
능동 필터.
전압 제어 발진기.
특징 :

단일 패키지에서 듀얼 독립적 연산 증폭기.
넓은 입력전압 범위 : 2.7V 내지 5.5V.
레일 투 레일 입력과 출력 스윙.
저 전력 소모 : 0.5 채널 당 마.
고공통-모드 거부 비율 (동상 전압 제거비) : 70 dB.
낮은 입력 오프셋 전압 : 1 mV.
유니티 게인 안정.
ESD 보호 : 2 kV (휴먼 바디 모델).
매개 변수 :

입력전압 범위 : 2.7V 내지 5.5V.
출력 전압 레인지 : VCC에 대한 0V.
작동 온도 범위 : 125' C에 대한 -40' C.
이득 대역폭 제품 : 1 마하즈.
슬루율 : 0.5 V/μs.
입력 오프셋 전압 : 1 mV.
입력 오프셋 전류 : 10 nA.
패키징하는 것 : SOIC-8.

EU 로에스 순응합니다
ECCN (우리) EAR99
상태 부분 활동가
HTS 8542.33.00.01
SVHC
자동차 부정
PPAP 부정
타입 저전압 증폭기
제조사 타입 저전압 증폭기
칩 당 채널 수 2
철도가 기차로 여행합니다 철도가 출력을 격분합니다
출력형 CMOS
최대 투입 오프셋 전압 (mV) 7@5V
최소 단전원 (V) 2.7
최대 단전원 (V) 5.5
최대 투입 오프셋 전류 (uA) 0.05@5V
전형적 입력 바이어스 전류 (uA) 0.015@5V
최대 투입 바이어스 전류 (uA) 0.25@5V
최대 공급 전류 (mA) 0.44@5V
전형적 출력 전류 (mA) 60
동력 공급식 단일
전형적 슬루율 (V/us) 1@5V
전형적 입력 잡음 전압밀도 (nV/rtHz) 39@5V
전형적 전압 이득 (dB) 100
전형적 비반전 입력 전류 잡음 비중 (pA/rtHz) 0.21@5V
최소 동상 전압 제거비 (dB) 50
최소 동상 전압 제거비 범위 (dB) 50 내지 60
전형적 이득 대역폭 제품 (MHz) 1
지원을 차단하세요 부정
최소 동작 온도 ('C) -40
최대 작업 온도 ('C) 125
패키징 테이프와 릴
장착 표면 부착
패키지 높이 1.5(Max)
패키지 폭 3.98(Max)
패키지 길이 5(Max)
PCB는 변했습니다 8
표준 패키지 이름 그래서
공급자 패키지 SOIC
핀 수 8
리드선 형태 걸-윙

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