원래 장소:
원형
브랜드 이름:
ON
모델 번호:
NCV33072DR2G
연락주세요
새로운 NCV33072DR2G와 원래 SOP8 집적 회로
| 제품 기술적 요구 | |
| EU 로에스 | 순응합니다 |
| ECCN (우리) | EAR99 |
| 상태 부분 | 활동가 |
| HTS | 8542.33.00.01 |
| 자동차 | 예 |
| PPAP | 예 |
| 타입 | 범용 증폭기 |
| 제조사 타입 | 범용 증폭기 |
| 칩 당 채널 수 | 2 |
| 프로세스 기술 | 양극성 |
| 최대 투입 오프셋 전압 (mV) | 5@5V |
| 최소 단전원 (V) | 3 |
| 전형적 단전원 (V) | 28|24|18|15|12|9|5 |
| 최대 단전원 (V) | 44 |
| 최소 양전원 (V) | ±1.5 |
| 전형적 양전원 (V) | ±18|±15|±12|±9|±5|±3 |
| 최대 양전원 (V) | ±22 |
| 전형적 낮은 수준 출력 전압 (V) | 0.1 |
| 전형적 높은 수준의 출력 전압 (V) | 4 |
| 최대 투입 오프셋 전류 (uA) | 0.075@±15V |
| 전형적 입력 바이어스 전류 (uA) | 0.1@±15V |
| 최대 투입 바이어스 전류 (uA) | 0.5@±15V |
| 최대 정지 전류 (mA) | 4@5V |
| 전형적 출력 전류 (mA) | 30 |
| 동력 공급식 | 듀얼 BAR 단일 |
| 전형적 슬루율 (V/us) | 13@±15V |
| 전형적 입력 잡음 전압밀도 (nV/rtHz) | 32@±15V |
| 전형적 전압 이득 (dB) | 100 |
| 전형적 비반전 입력 전류 잡음 비중 (pA/rtHz) | 0.22@±15V |
| 최소 PSRR (dB) | 70 |
| 최소 동상 전압 제거비 (dB) | 70 |
| 최소 동상 전압 제거비 범위 (dB) | 70 내지 71 |
| 전형적 이득 대역폭 제품 (MHz) | 4.5 |
| 전형적인 설정시간 (나노 초) | 2200 |
| 지원을 차단하세요 | 부정 |
| 최소 동작 온도 ('Ｃ) | -40 |
| 최대 작업 온도 ('Ｃ) | 125 |
| 공급자 온도 그레이드 | 자동차 |
| 패키징 | 테이프와 릴 |
| 장착 | 표면 부착 |
| 패키지 높이 | 1.5(Max) |
| 패키지 폭 | 4(Max) |
| 패키지 길이 | 5(Max) |
| PCB는 변했습니다 | 8 |
| 표준 패키지 이름 | 그래서 |
| 공급자 패키지 | SOIC 엔 |
| 핀 수 | 8 |
| 리드선 형태 | 걸-윙 |
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