원래 장소:
원형
브랜드 이름:
Intel/Altera
모델 번호:
EP4CE30F29I7N
연락주세요
| 제품 기술적 요구 | |
| EU 로에스 | 순응합니다 |
| ECCN (우리) | 3A991 |
| 상태 부분 | 활동가 |
| HTS | 8542.39.00.01 |
| 자동차 | 부정 |
| PPAP | 부정 |
| 성 | 사이클론 IV Ｅ |
| 프로세스 기술 | 60nm |
| 사용자 I/Os | 532 |
| 입출력 은행의 번호 | 8 |
| 작동 공급 전압 (V) | 1.2 |
| 논리소 | 28848 |
| 곱셈 장치의 수 | 66 (18x18) |
| 프로그램 메모리 종류 | SRAM |
| 임베디드 메모리 (Kbit) | 594 |
| 블럭 램의 전체 수 | 66 |
| IP 핵심 | 패킷 IP 핵심 에 AXI 브릿지 제어기 (RAB)|EtherCAT|EtherNET/IP|DS1/E1 TDM에 대한 서브-프레임 잠재 JPEG 2000 부호기 (BA130)|RapidIO |
| 사업자 이름 | 발코 실리카 / 모비베일, Inc / 벡호프 자동화 GmbH/Softing AG / 에임밸리 |
| 장치 논리 장치 | 28848 |
| 글로벌클럭의 수 | 20 |
| DLLs/PLLs의 장치 번호 | 4 |
| 피코이에 | 1 |
| 프로그램 가능성 | 예 |
| 재프로그래밍 가능성 지원 | 부정 |
| 복제방지장치 | 부정 |
| 내부 시스템 프로그램 가능성 | 부정 |
| 속도 그레이드 | 7 |
| 차별적 입출력 표준 | LVDS BAR RSDS BAR SSTL BAR B-LVDS BAR HSTL BAR LVPECL |
| 단일 단자 입출력 표준 | LVTTL BAR LVCMOS BAR PCI BAR PCI-X BAR SSTL BAR HSTL |
| 외부 기억장치 인터페이스 | DDR SDRAM BAR DDR2 SDRAM BAR QDRII+SRAM |
| 최소 작동 공급 전압 (V) | 1.16 |
| 최대 작동 공급 전압 (V) | 1.24 |
| 입출력 전압 (V) | 1.2|1.5|1.8|2.5|3|3.3 |
| 최소 동작 온도 (C) | -40 |
| 최대 작업 온도 (C) | 100 |
| 공급자 온도 그레이드 | 인더스트리얼 |
| 상표명 | 사이클론 |
| 장착 | 표면 부착 |
| 패키지 높이 | 1.75 |
| 패키지 폭 | 29 |
| 패키지 길이 | 29 |
| PCB는 변했습니다 | 780 |
| 표준 패키지 이름 | BGA |
| 공급자 패키지 | 에프비지에이 |
| 핀 수 | 780 |
| 리드선 형태 | 볼 |
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